2018年5月11日，由尊龙凯时委员会（以下简称“基金委”）信息科学部组织的“后摩尔时代微电子新器件技术研究—集成电路芯片研制的相关基础问题”研讨会在京召开。研讨会由基金委信息科学部副巡视员何杰同志主持，基金委党组成员、副主任张希、高瑞平、王承文，信息科学部主任柴天佑、常务副主任秦玉文及学部有关工作人员参加了研讨会。邀请了西安电子科技大学郝跃院士作专题报告，来自全国18所高校和科研单位的24位专家学者就集成电路芯片研制的相关基础问题展开深入讨论。

　　秦玉文同志在开幕式上致辞，介绍了举办这次研讨会的背景和目的，指出微电子作为信息科学核心技术的重要性，强调集成电路芯片研制的基础问题关系到我国集成电路技术及整个信息技术的发展。请各位专家在会上各抒己见，从基础研究的角度为我国微电子技术发展找准研究方向、解决重要科学技术问题。

　　郝跃院士在专题报告中分析了我国微电子技术和产业的发展现状，指出我国的微电子产业有希望也有困难，需要加强基础研究。他通过对集成电路前沿工艺和后摩尔时代器件技术未来发展趋势的分析，认为“新原理、新结构和新材料”是器件发展的主要驱动力，也是我国微电子技术实现跨越的关键，从基础研究角度给出了支持微电子技术发展的建议。

　　研讨会上，中国科学院上海微系统与信息技术研究所王曦院士、中国科学院微电子研究所刘明院士、北京大学黄如院士、浙江大学杨德仁院士等20多位与会专家分别阐述了我国微电子未来的发展方向、发展态势，指出微电子不同于其他领域，需要自由探索与重大专项并重，一方面发展有实用价值的技术推进集成电路产业发展，另一方面，培养青年人才弥补产业高端人才的巨大缺口。专家认为，集成电路发展到今天，从平面器件进入三维 FinFET时代是解决功耗问题的必然选择，而FinFET从发明到实用历时14年。到2025年，传统CMOS微缩可能面临终结，新原理、新结构或新材料的器件必将登上历史舞台，但究竟哪一种或哪几种新器件能够胜出还是未知数。在这种机遇期，集成电路基础研究显得尤为重要。专家们还指出，FinFET发明后很快引起产业界的注意，并占据先机，虽然后续又有一些更先进的器件结构出现，但都因为产业界已经布局FinFET而没有应用。因此，微电子器件研究有很强的时效性，针对新原理、新结构、新材料的微电子器件研究应尽快布局。

　　基金委副主任高瑞平同志在发言中指出，半导体集成电路涉及到材料、信息、制造等多个方面，是一个多学科交叉领域，希望学部梳理在科学基金资助下已取得的成果，进一步和专家探讨关键问题所在，聚焦以问题为导向的基础研究，进行提前部署。

　　信息科学部主任柴天佑院士在发言中希望与会专家结合产业需求，凝练核心科学问题，做好顶层设计，切实解决好微电子发展的关键技术问题。

　　基金委副主任张希院士在总结发言中指出，基础研究的部署要有前瞻性和引领性。信息领域的问题应该从应用中提炼出来，希望与会专家针对目前我国集成电路芯片领域存在的瓶颈，坚持基础研究与产业需求相结合，解决相关基础问题。